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    Fairchild产品 - FDBL0110N60介绍
    FDBL0110N60 - N 沟道 PowerTrench MOSFET

    FDBL0110N60是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDBL0110N60是N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDBL0110N60的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDBL0110N60相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDBL0110N60 - N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDBL0110N60 - 产品描述
    FDBL0110N60 - 产品特性
    • 典型值 RDS(on) = 0.85 mΩ（VGS = 10V, ID = 80 A 时）
    • 典型值 Qg(tot) = 170 nC（VGS = 10V, ID = 80 A
      • 时）
    • UIS 能力
    • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDBL0110N60 - 产品应用
    以下列出了FDBL0110N60相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDBL0110N60量产-ROHS：截至2015年4月$1.7348
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