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FDBL0110N60 - N 沟道 PowerTrench MOSFET
FDBL0110N60是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDBL0110N60是N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDBL0110N60的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDBL0110N60相关的Fairchild元器件型号供参考。
FDBL0110N60 - N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体
FDBL0110N60 - 产品描述
FDBL0110N60 - 产品特性
- 典型值 RDS(on) = 0.85 mΩ（VGS = 10V, ID = 80 A 时）
- 典型值 Qg(tot) = 170 nC（VGS = 10V, ID = 80 A 时）
- UIS 能力
- 符合 RoHS 标准
FDBL0110N60 - 产品应用
以下列出了FDBL0110N60相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDBL0110N60 | 量产-ROHS：截至2015年4月 | $1.7348 |
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