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FDBL0210N80 - N 沟道 PowerTrench MOSFET
FDBL0210N80是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDBL0210N80是N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDBL0210N80的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDBL0210N80相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDBL0210N80 - N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDBL0210N80 - 产品描述
FDBL0210N80 - 产品特性
- 典型 RDS(on) = 1.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 80 A 时）
- 典型 Qg(tot) = 130 nC（VGS = 10 V、ID = 80 A 时）
- UIS 能力
- 符合 RoHS 标准
FDBL0210N80 - 产品应用
以下列出了FDBL0210N80相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDBL0210N80 | 量产-ROHS：截至2015年5月 | $2.9217 |
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