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Fairchild产品 - FDBL0210N80介绍

FDBL0210N80 - N 沟道 PowerTrench MOSFET

FDBL0210N80是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDBL0210N80是N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDBL0210N80的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDBL0210N80相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDBL0210N80 - N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDBL0210N80 - 产品描述
FDBL0210N80 - 产品特性
  • 典型 RDS(on) = 1.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 80 A
    • 时）
  • 典型 Qg(tot) = 130 nC（VGS = 10 V、ID = 80 A
    • 时）
  • UIS 能力
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDBL0210N80 - 产品应用
    以下列出了FDBL0210N80相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDBL0210N80量产-ROHS：截至2015年5月$2.9217
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