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Fairchild产品 - FDC3601N介绍

FDC3601N - 双N沟道100V规格PowerTrench MOSFET

FDC3601N是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDC3601N是双N沟道100V规格PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDC3601N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC3601N相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDC3601N - 双N沟道100V规格PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDC3601N - 产品描述

这些N沟道100V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。这些器件经过专门设计，能在极小的空间内实现优异的功率耗散，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装的应用。

FDC3601N - 产品特性
  • 1.0 A，100 V
  • RDS(on) = 500 mΩ@ VGS = 10 V
  • RDS(on) = 550 mΩ @ VGS = -6V
  • 低栅极电荷（3.7nC，典型值）
  • 快速开关速度
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • SuperSOT-6封装： 小尺寸（比标准SO-8封装小72%）；薄型（1mm厚）
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDC3601N - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDC3601N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDC3601N量产-ROHS：截至2011年7月$0.464
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