此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合电池供电应用：负载开关和功率管理、电池电源电路和DC/DC转换。

• -5.8A, -20V, RDS(on) = 30mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) = 43mΩ @ VGS = -2.5V
• 低栅极电荷
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
• SuperSOT ¨C6封装： 小尺寸（比标准 SO¨C8 小 72%）；薄型（1 mm 厚）

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDC608PZ	量产-ROHS：截至2011年7月	$0.219

• 74AUP1G95 - TinyLogic 低功率通用可配置双输入逻辑门（漏极开路输出）
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