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Fairchild产品 - FDC610PZ介绍

FDC610PZ - -30V P沟道PowerTrench MOSFET

FDC610PZ是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDC610PZ是-30V P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDC610PZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC610PZ相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDC610PZ - -30V P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDC610PZ - 产品描述

此沟道MOSFET采用Fairchild先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻同时仍保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合电池供电应用：负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。

FDC610PZ - 产品特性
  • 最大 rDS(on)=42mΩ（VGS=-10 V、ID=-4.9 A）
  • 最大 rDS(on)=75 mΩ（VGS=-4.5 V、ID=-3.7 A）
  • 低栅极电荷（典型值17 nC）。
  • 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)。
  • SuperSOT-6封装： 小尺寸（比标准 SO-8 小 72%）；薄型（1 mm 厚）。
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDC610PZ - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDC610PZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDC610PZ量产-ROHS：截至2011年7月$0.209
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