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Fairchild产品 - FDC6304P介绍

FDC6304P - 数字FET、双P沟道

FDC6304P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDC6304P是数字FET、双P沟道，本站介绍了FDC6304P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC6304P相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDC6304P - 数字FET、双P沟道 - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDC6304P - 产品描述

这些P沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术。这种高密度工艺专为最大限度地降低低栅极驱动条件下的通态电阻而定制。该器件特别为电池供电应用设计，例如笔记本电脑和手机。该器件即使在栅极驱动电压低至2.5V时仍具有出色的通态电阻。

FDC6304P - 产品特性
  • -25V、-0.46A（连续值）、-1.0A（峰值）
  • RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V
  • RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS = -4.5 V
  • 栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V。
  • 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDC6304P - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDC6304P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDC6304P量产-ROHS：截至2011年7月$0.27
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