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Fairchild产品 - FDC6318P介绍

FDC6318P - 双P沟道1.8V PowerTrench MOSFET

FDC6318P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDC6318P是双P沟道1.8V PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDC6318P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC6318P相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDC6318P - 双P沟道1.8V PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDC6318P - 产品描述

这些P沟道1.8V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。

FDC6318P - 产品特性
  • -2.5A，-12V。 RDS(ON) = 90mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) = 125mΩ @ VGS = -2.5V RDS(ON) = 200mΩ @ VGS = -1.8V
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
  • SuperSOT-6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDC6318P - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDC6318P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDC6318P量产-ROHS：截至2011年7月$0.376
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