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FDC637BNZ - 20V双N沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET
FDC637BNZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDC637BNZ是20V双N沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDC637BNZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC637BNZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDC637BNZ - 20V双N沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDC637BNZ - 产品描述
此N沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。与SO-8和TSSOP-8封装的大尺寸不同，这些器件经过专门设计，能以非常小的尺寸提供出色的功耗特性。
FDC637BNZ - 产品特性
- VGS = 4.5V，ID = 6.2A时，最大rDS(on) = 24 mΩ
- VGS = 2.5V，ID = 5.2A时，最大rDS(on) = 32 mΩ
- 快速开关速度
- 低栅极电荷（典型值8nC）
- 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
- SuperSOT-6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）
- HBM静电放电保护等级为>2kV，典型值（注3）
- 采用绿色封装材料生产。
- 无卤素
- 符合RoHS标准
FDC637BNZ - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDC637BNZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDC637BNZ | 量产-ROHS：截至2007年11月 | $0.29 |
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