此N沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。与SO-8和TSSOP-8封装的大尺寸不同，这些器件经过专门设计，能以非常小的尺寸提供出色的功耗特性。

• VGS = 4.5V，ID = 6.2A时，最大rDS(on) = 24 mΩ
• VGS = 2.5V，ID = 5.2A时，最大rDS(on) = 32 mΩ
• 快速开关速度
• 低栅极电荷（典型值8nC）
• 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
• SuperSOT-6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）
• HBM静电放电保护等级为>2kV，典型值（注3）
• 采用绿色封装材料生产。
• 无卤素
• 符合RoHS标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDC637BNZ	量产-ROHS：截至2007年11月	$0.29

• KSC2333 - NPN外延硅晶体管
• SMBJ24A - 600W瞬态电压抑制二极管
• FDPF680N10T - N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V, 12A, 68mΩ
• FCA47N60F - N 沟道 SuperFET FRFET MOSFET 600V, 47A, 73mΩ
• FS8K - 8 A 标准恢复表面贴装整流器
• RS1KFA - 0.8 A、800 V 表面贴装快速恢复
• MMBZ5252B - 24V 350mW 5%齐纳
• FGP3040G2_F085 - 400 V、26 A、1.35 V、300 mJ、TO-220EcoSPARK II、N 沟道点火 IGBT
• MM3Z62VC - 62.0V 200mW 5%齐纳管，SOD323F
• BZX84C12 - 12V、0.35W齐纳二极管