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Fairchild产品 - FDC6401N介绍

FDC6401N - 双N沟道2.5V规格PowerTrench MOSFET

FDC6401N是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDC6401N是双N沟道2.5V规格PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDC6401N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC6401N相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDC6401N - 双N沟道2.5V规格PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDC6401N - 产品描述

该双N沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器。已针对低栅极电荷、低rDS(ON)和高速开关进行了优化。

FDC6401N - 产品特性
  • 3.0 A, 20 V
  • RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • RDS(on) = 95 mΩ @ VGS = 2.5 V
  • 低栅极电荷
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • 高功率和高电流处理能力
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDC6401N - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDC6401N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDC6401N量产-ROHS：截至2011年7月$0.421
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