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FDC655BN技术文档下载：
FDC655BN - 30V单N沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET
FDC655BN是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDC655BN是30V单N沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDC655BN的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC655BN相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDC655BN - 30V单N沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDC655BN - 产品描述
该N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
FDC655BN - 产品特性
- VGS = 10V，ID = 6.3A时，最大rDS(on) = 25mΩ
- VGS = 4.5V，ID = 5.5A时，最大rDS(on) = 33mΩ
- 快速开关
- 低栅极电荷
- 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
- 终端无引线且符合RoHS标准
FDC655BN - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDC655BN相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDC655BN | 量产-ROHS：截至2011年7月 | $0.28 |
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