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Fairchild产品 - FDD10N20LZ介绍

FDD10N20LZ - N 沟道 UniFET MOSFET 200V，7.6A，360mΩ

FDD10N20LZ是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDD10N20LZ是N 沟道 UniFET MOSFET 200V，7.6A，360mΩ，本站介绍了FDD10N20LZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD10N20LZ相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDD10N20LZ - N 沟道 UniFET MOSFET 200V，7.6A，360mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDD10N20LZ - 产品描述

UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

FDD10N20LZ - 产品特性
  • RDS(on) = 300mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 3.8A
  • 低栅极电荷（典型值 12nC）
  • 低 Crss（典型值 11pF）
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 处理能力
  • 改进了 ESD 防护能力
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDD10N20LZ - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDD10N20LZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDD10N20LZTM量产-ROHS：截至2010年6月$0.4427
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