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Fairchild仙童半导体芯片：
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FDD13AN06_F085 - 60 V、50 A、11.5 mΩ、Dual DPAKN 沟道 PowerTrench
FDD13AN06_F085是Fairchild仙童半导体公司的一款车用N沟道MOSFET产品，FDD13AN06_F085是60 V、50 A、11.5 mΩ、Dual DPAKN 沟道 PowerTrench，本站介绍了FDD13AN06_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD13AN06_F085相关的Fairchild元器件型号供参考。
FDD13AN06_F085 - 60 V、50 A、11.5 mΩ、Dual DPAKN 沟道 PowerTrench - 车用N沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - 仙童半导体
FDD13AN06_F085 - 产品描述
FDD13AN06_F085 - 产品特性
- rDS(ON) = 11.5 mΩ （典型值）、VGS = 10 V、ID = 50 A
- Qg(tot) = 22nC（典型值），VGS = 10V
- 低米勒电荷
- 低 QRR体二极管
- UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）
- 符合 AEC Q101 标准
- 符合 RoHS 标准
FDD13AN06_F085 - 产品应用
- 人体电子
- 传动系
- 便携导航
- 信息娱乐
- 其他
- 其他车用
- 安全和控制
- 舒适与便捷
- 车辆安全系统
以下列出了FDD13AN06_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDD13AN06A0_F085 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.5382 |
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