此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

• 3.6 A, 200 V
• RDS(ON) = 130 mΩ @ VGS = 10V
• 低栅极电荷
• 快速开关速度
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
• 高功率和高电流处理能力

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDD2670	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.16

• FDG1024NZ - 20V双N沟道PowerTrench MOSFET
• FQP12P10 - P 沟道 QFET MOSFET -100 V、-11.5 A、290 mΩ
• FDG6301N_F085 - 25 V、0.22 A、2.6 Ω、SC-70-6、逻辑电平双 N 沟道平面型
• MOC3032M - 6引脚DIP 250V过零触发可控硅驱动器输出光电耦合器
• FQA90N15_F109 - N 沟道 QFET MOSFET 150V，90A，18mΩ
• FAN1100_F085 - 点火模块驱动 IC
• FOD3180 - 输出电流为2A的高速MOSFET栅极驱动光电耦合器
• FPF2215 - 具有可调式精密限流的集成式负载开关
• FAN3213T_F085 - 双通道 4 A 高速，低端栅极驱动器
• FDMS3008SDC - N 沟道双 Cool 56 PowerTrench SyncFET