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Fairchild产品 - FDD306P介绍

FDD306P - -12V P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET

FDD306P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDD306P是-12V P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDD306P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD306P相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDD306P - -12V P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDD306P - 产品描述

此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。它已针对电池功率管理应用进行了优化。

FDD306P - 产品特性
  • -6.7A，-12V
  • RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = -4.5V
  • RDS(ON) = 41 mΩ @ VGS = -2.5V
  • RDS(ON) = 90 mΩ @ VGS = -1.8V
  • 快速开关速度
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • 高功率和高电流处理能力
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDD306P - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDD306P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    PCFD306PW量产（特殊订单）-ROHS不适用
    FDD306P量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.36
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