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FDD306P技术文档下载：
FDD306P - -12V P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET
FDD306P是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDD306P是-12V P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDD306P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD306P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDD306P - -12V P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDD306P - 产品描述
此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。它已针对电池功率管理应用进行了优化。
FDD306P - 产品特性
- -6.7A，-12V
- RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = -4.5V
- RDS(ON) = 41 mΩ @ VGS = -2.5V
- RDS(ON) = 90 mΩ @ VGS = -1.8V
- 快速开关速度
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
- 高功率和高电流处理能力
FDD306P - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDD306P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| PCFD306PW | 量产（特殊订单）-ROHS | 不适用 |
| FDD306P | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.36 |
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