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Fairchild产品 - FDD3510H介绍

FDD3510H - 80V双N和P沟道PowerTrench MOSFET

FDD3510H是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDD3510H是80V双N和P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDD3510H的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD3510H相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDD3510H - 80V双N和P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDD3510H - 产品描述

这些双N沟道和P沟道增强模式功率MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。

FDD3510H - 产品特性
  • Q1： N沟道
  • 最大rDS(on) = 80m VGS = 10V时，ID = 4.3A
  • 最大rDS(on) = 88m VGS = 6V, ID = 4.1A时Q2: P沟道
  • 最大rDS(on) = 190m VGS = -10V时，ID = -2.8A
  • 最大rDS(on) = 224m VGS = -4.5V时，ID = -2.6A
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDD3510H - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDD3510H相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDD3510H量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.51
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