UniFETTMIIMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于先进平面条形和DMOS技术。该先进MOSFET系列在平面MOSFET产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源ESD二极管使UniFETIIMOSFET产品可承受超过2kV的HBM冲击应力。UniFETIIFRFETMOSFET体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。其trr小于100nsec且反向dv/dt抗扰度为15V/nsec，而一般的平面MOSFET产品分别为200nsec以上和4.5V/nsec。因此，它在MOSFET体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

• RDS(on) = 1.47Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 1.85A
• 低栅极电荷（典型值 9nC）
• 低 Crss（典型值 4pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 处理能力
• 改进了 ESD 防护能力
• 符合 RoHS 标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDD5N50NZFTM	量产-ROHS：截至2009年12月	$0.4998

• FOD8383 - 采用 Optoplanar 宽体 SOP 5 引脚封装的 FOD8383 2.5 A 输出电流、高速、MOSFET/IGBT 栅极驱动光电耦合器
• FQD3N60CTM_WS - N 沟道 QFET MOSFET 600V，2.4A，3.4Ω
• HGTG5N120BND - 1200V, NPT IGBT
• HMHA2801B - 4 引脚半节距微型扁平光电晶体耦合器
• FDS8858CZ - 30V双N和P沟道PowerTrench MOSFET
• RB751S40 - 肖特基势垒二极管
• QSE158 - 塑硅光电逻辑光电传感器
• FAN4860 - 3MHz同步TinyBoost
• FQA27N25 - N 沟道 QFET MOSFET 250V, 2.7A, 110mΩ
• FCA47N60F - N 沟道 SuperFET FRFET MOSFET 600V, 47A, 73mΩ