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FDD86113LZ - 100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench MOSFET
FDD86113LZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDD86113LZ是100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDD86113LZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD86113LZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDD86113LZ - 100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDD86113LZ - 产品描述
这一N沟道逻辑电平MOSFET器件采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
FDD86113LZ - 产品特性
- 屏蔽栅极 MOSFET 技术 VGS = 10 V, ，ID = 4.2A时，最大rDS(on) = 104 mΩ VGS= 4.5 V，ID = 3.4A时，最大rDS(on) = 156 mΩ HBM 静电放电保护等级> 6 kV 典型值（注 4） 高性能技术可实现极低的rDS(on) 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装 100%经过UIL测试 符合 RoHS 标准
FDD86113LZ - 产品应用
- 消费型设备
以下列出了FDD86113LZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDD86113LZ | 量产-ROHS：截至2011年10月 | $0.41 |
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