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Fairchild产品 - FDD86326介绍

FDD86326 - 80V N沟道PowerTrench MOSFET

FDD86326是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDD86326是80V N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDD86326的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD86326相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDD86326 - 80V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDD86326 - 产品描述

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。

FDD86326 - 产品特性
  • VGS = 10 V，ID = 8 A时，最大rDS(on) = 23mΩ
  • VGS = 6 V，ID = 4.6 A时，最大rDS(on) = 37 mΩ
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
  • 在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
  • 与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd
  • 快速开关速度
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDD86326 - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDD86326相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDD86326量产-ROHS：截至2010年7月$0.8
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