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FDD86326 - 80V N沟道PowerTrench MOSFET
FDD86326是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDD86326是80V N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDD86326的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD86326相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDD86326 - 80V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDD86326 - 产品描述
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。
FDD86326 - 产品特性
- VGS = 10 V，ID = 8 A时，最大rDS(on) = 23mΩ
- VGS = 6 V，ID = 4.6 A时，最大rDS(on) = 37 mΩ
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
- 在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
- 与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd
- 快速开关速度
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
FDD86326 - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDD86326相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDD86326 | 量产-ROHS：截至2010年7月 | $0.8 |
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