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FDD86567_F085 - 60 V、100 A、2.6 mΩ、DPAKN 沟道 PowerTrench
FDD86567_F085是Fairchild公司的一款车用N沟道MOSFET产品，FDD86567_F085是60 V、100 A、2.6 mΩ、DPAKN 沟道 PowerTrench，本站介绍了FDD86567_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD86567_F085相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDD86567_F085 - 60 V、100 A、2.6 mΩ、DPAKN 沟道 PowerTrench - 车用N沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - Fairchild（仙童半导体）
FDD86567_F085 - 产品描述
FDD86567_F085 - 产品特性
- 典型 RDS(on) = 2.6 mΩ（VGS = 10 V、ID = 80 A ）
- 典型 Qg(tot) = 63 nC（VGS = 10 V、ID = 80 A ）
- UIS 能力
- 符合 RoHS 标准
- 符合 AEC Q101 标准
FDD86567_F085 - 产品应用
以下列出了FDD86567_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDD86567_F085 | 量产-ROHS：截至2014年11月 | 不适用 |
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