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FDFMA3N109 - 30V Integrated N-Channel PowerTrenchMOSFET and Schottky Diode
FDFMA3N109是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET 集成肖特基器件产品,FDFMA3N109是30V Integrated N-Channel PowerTrenchMOSFET and Schottky Diode,本站介绍了FDFMA3N109的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDFMA3N109相关的Fairchild元器件型号供参考。
FDFMA3N109 - 30V Integrated N-Channel PowerTrenchMOSFET and Schottky Diode - MOSFET 集成肖特基器件 - FET - 仙童半导体
FDFMA3N109 - 产品描述
该器件特别设计为一个单封装解决方案,适用于手机和其他超便携应用的升压拓朴。该器件具有一个低输入电容的MOSFET、完整的栅极电荷、导通电阻以及一个独立连接的肖特基二极管。此肖特基二极管具有低正向电压和反向漏电流,以尽可能提高升压效率。
MicroFET2x2封装以其紧凑的尺寸提供了卓越的热性能,非常适用于开关和线性模式应用。
FDFMA3N109 - 产品特性
- MOSFET:2.9 A, 30V RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4.5 V
- RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3.0 V
- RDS(ON) = 163 mΩ(VGS = 2.5V时)肖特基二极管:
- VF < 0.46 V (500mA)
- 薄型 - 最厚0.8mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
- HBM ESD保护电平 = 1.8kV典型值 (注3)
- 符合 RoHS 标准
FDFMA3N109 - 产品应用
该产品为通用产品,适用于很多不同应用。
以下列出了FDFMA3N109相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDFMA3N109 | 量产-ROHS:截至2006年8月 | $0.239 |
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