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Fairchild产品 - FDG313N介绍

FDG313N - 数字FET，N沟道

FDG313N是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDG313N是数字FET，N沟道，本站介绍了FDG313N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDG313N相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDG313N - 数字FET，N沟道 - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDG313N - 产品描述

该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代双极性数字晶体管和小信号MOSFET。

FDG313N - 产品特性
  • 0.95 A，25 V。 RDS(on) = 0.45 Ω @ VGS = 4.5 V。 RDS(on) = 0.60 Ω @ VGS = 2.7 V。
  • 低栅极电荷（1.64nC典型值）
  • 极低电平的栅极驱动要求允许直接在3 V电路(VGS(th)1.5V)中进行操作。
  • 栅源齐纳二极管可实现ESD稳固性（6kV人体模型）。
  • 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDG313N - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDG313N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDG313N量产-ROHS：截至2010年12月$0.51
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