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FDG330P技术文档下载：
FDG330P - P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET
FDG330P是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDG330P是P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDG330P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDG330P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDG330P - P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDG330P - 产品描述
此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。它已针对电池的电源管理应用进行了优化。
FDG330P - 产品特性
- -2 A，-12V
- RDS(ON) = 110 mΩ @ VGS = 4.5V
- RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = 2.5V
- RDS(ON) = 215 mΩ @ VGS = 1.8V
- 低栅极电荷
- 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
- 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装
FDG330P - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDG330P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDG330P | 量产-ROHS：截至2010年12月 | $0.348 |
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