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    Fairchild产品 - FDG332PZ介绍
    FDG332PZ - -20V P沟道PowerTrench MOSFET

    FDG332PZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDG332PZ是-20V P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDG332PZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDG332PZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDG332PZ - -20V P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDG332PZ - 产品描述

    此P沟道MOSFET采用飞兆先进的低压PowerTrench工艺生产。它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

    FDG332PZ - 产品特性
    • 最大rDS(on) = 95mΩ（VGS = -4.5V，ID = -2.6A）
    • 最大rDS(on) = 115mΩ（VGS = -2.5V，ID = -2.2A）
    • 最大rDS(on) = 160mΩ（VGS = -1.8V，ID = -1.9A）
    • 最大rDS(on) = 330 mΩ（VGS = -1.5V，ID = -1.0A）
    • 极低的栅极驱动要求允许在1.5V电路中运行
    • 非常小的封装尺寸SC70-6
    • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDG332PZ - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDG332PZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDG332PZ量产-ROHS：截至2010年12月$0.149
    PCF332PW量产（特殊订单）-ROHS不适用
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