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FDG6301N_F085 - 25 V、0.22 A、2.6 Ω、SC-70-6、逻辑电平双 N 沟道平面型
FDG6301N_F085是Fairchild公司的一款车用N沟道MOSFET产品，FDG6301N_F085是25 V、0.22 A、2.6 Ω、SC-70-6、逻辑电平双 N 沟道平面型，本站介绍了FDG6301N_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDG6301N_F085相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDG6301N_F085 - 25 V、0.22 A、2.6 Ω、SC-70-6、逻辑电平双 N 沟道平面型 - 车用N沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - Fairchild（仙童半导体）
FDG6301N_F085 - 产品描述
这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。
FDG6301N_F085 - 产品特性
- 25 V、0.22 A 持续电流，0.65 A 峰值。
- RDS(ON) = 4 W Ω VGS= 4.5 V，
- RDS(ON) = 5 W Ω VGS= 2.7 V。
- 极低电平的栅极驱动要求允许直接在 3 V 电路 (VGS(th) < 1.5 V) 中进行操作。
- 栅源齐纳二极管可实现ESD稳固性（>6kV人体模型）。
- 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。
- 符合 AEC Q101 标准
- 符合 RoHS 标准
FDG6301N_F085 - 产品应用
- 人体电子
- 传动系
- 便携导航
- 信息娱乐
- 其他
- 其他车用
- 安全和控制
- 舒适与便捷
- 车辆安全系统
以下列出了FDG6301N_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDG6301N_F085 | 量产-ROHS：截至2010年12月 | $0.0648 |
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