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FDG6304P技术文档下载：
FDG6304P - 双P沟道数字FET
FDG6304P是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDG6304P是双P沟道数字FET，本站介绍了FDG6304P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDG6304P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDG6304P - 双P沟道数字FET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDG6304P - 产品描述
这些P沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度、DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。
FDG6304P - 产品特性
- -25 V、-0.41 A（连续值）、-1.5 A（峰值）。
- RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS = 4.5 V，
- RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V。
- 电平栅极驱动要求极低，从而可在3V电路中直接运行(VGS(th)< 1.5 V)。
- 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力（>6kV人体模型）。
- 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。
FDG6304P - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDG6304P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDG6304P | 量产-ROHS：截至2010年12月 | $0.61 |
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