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FDG6321C - 双N&P沟道数字FET
FDG6321C是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDG6321C是双N&P沟道数字FET，本站介绍了FDG6321C的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDG6321C相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDG6321C - 双N&P沟道数字FET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDG6321C - 产品描述
双N&P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。
FDG6321C - 产品特性
- N沟道 0.50 A、25 V、RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V、 RDS(ON) = 0.60 Ω @ VGS= 2.7 V。
- P沟道 -0.41 A、-25 V、 RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V、RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V。
- 超小封装外形SC70-6。
- 极低的栅极驱动要求允许3V电路的直接运行(VGS(th)< 1.5 V)。
- 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力（>6kV人体模型）。
FDG6321C - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDG6321C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDG6321C | 量产-ROHS：截至2010年12月 | $0.58 |
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