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FDG6332C技术文档下载：
FDG6332C - 20V N&P沟道Power Trench MOSFET
FDG6332C是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDG6332C是20V N&P沟道Power Trench MOSFET，本站介绍了FDG6332C的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDG6332C相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDG6332C - 20V N&P沟道Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDG6332C - 产品描述
这些N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件经过专门设计，能以极小的尺寸提供极低的功耗，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的TSSOP-8和SSOP-6封装的应用。
FDG6332C - 产品特性
- Q1 0.7A, 20V. RDS(ON) = 300mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) = 400mΩ @ VGS = 2.5V
- Q2 -0.6A, -20V. RDS(ON) = 420mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) = 630mΩ @ VGS = -2.5V
- 低栅极电荷
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
- SC70-60封装 小尺寸（比标准SSOT-6小51%）；薄型（1mm厚）。
FDG6332C - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDG6332C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDG6332C | 量产-ROHS：截至2010年12月 | $0.363 |
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