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Fairchild产品 - FDG6335N介绍

FDG6335N - 双20V N沟道PowerTrench MOSFET

FDG6335N是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDG6335N是双20V N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDG6335N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDG6335N相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDG6335N - 双20V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDG6335N - 产品描述

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。它专为小型开关调节器而优化，可在小型封装中提供极低的RDS(ON)和栅极电荷(QG)。

FDG6335N - 产品特性
  • 0.7A，20V。 RDS(ON) = 300mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) = 400mΩ @ VGS = 2.5V
  • 低栅极电荷（1.1nC，典型值）
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
  • 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDG6335N - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDG6335N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDG6335N量产-ROHS：截至2010年12月$0.363
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