该器件是专为满足蜂窝手机和其他超便携应用中的双开关要求而设计的单封装解决方案。该器件具有两个带低通态电阻的独立N沟道MOSFET，可最大限度地降低传导损耗。MicroFET2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。

• VGS = 4.5 V，ID = 5.0 A时，最大rDS(on) = 54 mΩ
• 最大rDS(on) = 66 mΩ（VGS = 2.5 V，ID = 4.2 A）
• VGS = 1.8 V，ID = 2.3 A时，最大rDS(on) = 82 mΩ
• VGS = 1.5 V，ID = 2.0 A时，最大rDS(on) = 114 mΩ
• HBM ESD保护等级 = 1.6 kV（注3）
• 薄型 - 最厚0.8mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
• 符合RoHS标准
• 无任何卤代化合物和锑氧化物

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMA1024NZ	量产-ROHS：截至2008年2月	$0.261

• HGT1S10N120BNS - 1200 V NPT IGBT
• FQP11P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60 V、-11.4 A、175 mΩ
• FDMS86550ET60 - N 沟道 PowerTrench MOSFET
• FAN3224T - TTL 输入、双通道同相输出、5 A 峰值灌电流、5 A 源电流低端栅极驱动器
• KSA1015 - PNP外延硅晶体管
• FDMS0306AS - 30V N沟道 PowerTrench SyncFET
• 74AUP1T97 - 带转换器的二输入、低功率、可配置逻辑门
• KA5L0380R - 用于 35 W 离线反激式转换器的 800 V 集成电源开关
• KA278R12C - 2A固定12V低压差稳压器(LDO)
• HGTG30N60A4D - 600V, SMPS IGBT