该器件专为设计作为单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用中的DC/DC“开关”MOSEFT。该器件具有一个带低通态电阻的独立N沟道和P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。每个MOSFET的栅极电荷也已被降至最低，以允许从控制器件直接实现高频率开关。MicroFET2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关应用。

• Q1： N沟道3.7A，20V。 RDS(ON) = 68 mΩ @ VGS = 4.5VRDS(ON) = 86 mΩ @ VGS = 2.5V

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMA1032CZ	量产-ROHS：截至2006年12月	$0.28

• PCFD27N50W - 分立式 MOSFET
• GBPC3506 - 35 A 桥式整流器
• FDMS86520 - 60V N沟道PowerTrench MOSFET
• BZX85C47 - 47V、1W齐纳二极管
• FSA832 - USB 2.0 高速 (480 Mbps) 充电器检测 IC，带隔离开关
• S2K - 通用整流器（玻璃钝化）
• FSBH0270 - 用于 16 W 离线反激式转换器的 700 V 集成电源开关，100 kHz，提供通电/欠压保护
• FSUSB22 - 低功率、双端口、高速USB2.0(480Mbps)开关
• 1N456A - 高电导、低泄漏二极管
• MOC3041M - 6引脚DIP 400V过零触发三端双向可控硅开关驱动器输出光电耦合器