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Fairchild产品 - FDMA1430JP介绍

FDMA1430JP - -30V 集成式 P 沟道 PowerTrench MOSFET 和 BJT

FDMA1430JP是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET/BJT产品，FDMA1430JP是-30V 集成式 P 沟道 PowerTrench MOSFET 和 BJT，本站介绍了FDMA1430JP的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMA1430JP相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMA1430JP - -30V 集成式 P 沟道 PowerTrench MOSFET 和 BJT - MOSFET/BJT - FET - 仙童半导体

FDMA1430JP - 产品描述

该器件特别设计为一个单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用的负载开关。在其节省空间的MicroFET2x2封装内具有50VNPNBJT和30VP沟道MOSFET产品，从而提供出色热性能，因其物理尺寸非常适合于线性模式应用。

FDMA1430JP - 产品特性
  • 最大值 rDS(on) = 90 mΩ（VGS = -4.5 V且ID = -2.9 A）
  • 最大值 rDS(on) = 130 mΩ（VGS = -2.5 V且ID = -2.6 A）
  • 最大值 rDS(on) = 170 mΩ（VGS = -1.8 V，ID = -1.7 A）
  • 最大值 rDS(on) = 240 mΩ（VGS = -1.5 V，ID = -1 A）
  • 薄型 最大 0.8 mm 采用新的 MicroFET 2x2 mm 封装
  • HBM 静电放电保护等级>2 kV 典型值（注3）
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMA1430JP - 产品应用
    以下列出了FDMA1430JP相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMA1430JP量产-ROHS：截至2012年5月$0.363
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