该器件专门设计为单封装解决方案，适合蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关。该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。MicroFET2x2超薄封装针对其物理尺寸提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

• VGS = -4.5 V，ID = -3.6 A时，最大rDS(on) = 60mΩ
• VGS = -2.5 V，ID = -3.0 A时，最大rDS(on) = 80mΩ
• 最大rDS(on) = 110 mΩ （VGS = -1.8 V, ID = -2.0 A）
• VGS = -1.5 V，ID = -1.0 A时，最大rDS(on) = 170mΩ
• 薄型 - 最厚0.55 mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm薄型封装
• HBM静电放电保护等级> 2.4kV典型值 （注3）
• 符合RoHS标准
• 不含有卤化合物和氧化锑

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMA6023PZT	量产-ROHS：截至2008年6月	$0.29

• BCX70G - NPN外延硅晶体管
• 1N4751A - 30V、1W齐纳二极管
• 1V5KE350A - 1500W瞬态电压抑制二极管
• BAT43XV2 - 肖特基势垒二极管
• HGTG27N120BN - 1200 V NPT IGBT
• SGH30N60RUFD - 带二极管的分立式、短路额定IGBT
• FDP61N20 - N 沟道 UniFET MOSFET 200V，61A，41mΩ
• FPF1203L - IntelliMAX Ultra-Small, Slew-Rate-Controlled Load Switch
• MMBD1202 - 高电导、超快速二极管
• FSBF5CH60B - Motion SPM 3 系列