该器件专门设计为单封装解决方案，适合蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关。该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。MicroFET2x2超薄封装针对其物理尺寸提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

• VGS = -4.5 V，ID = -3.6 A时，最大rDS(on) = 60mΩ
• VGS = -2.5 V，ID = -3.0 A时，最大rDS(on) = 80mΩ
• 最大rDS(on) = 110 mΩ （VGS = -1.8 V, ID = -2.0 A）
• VGS = -1.5 V，ID = -1.0 A时，最大rDS(on) = 170mΩ
• 薄型 - 最厚0.55 mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm薄型封装
• HBM静电放电保护等级> 2.4kV典型值 （注3）
• 符合RoHS标准
• 不含有卤化合物和氧化锑

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMA6023PZT	量产-ROHS：截至2008年6月	$0.29

• MMBFJ309 - N沟道RF放大器
• KA5L0565R - 用于 60 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
• KSE800 - NPN外延硅达林顿晶体管
• FAN21SV04 - - 4 A、24 V 单输入集成同步降压调节器
• 1V5KE120CA - 1500W瞬态电压抑制二极管
• QSB363 - 超小型塑料硅红外线光电晶体管
• FGAF20N60SMD - 600V、20A、场截止 IGBT
• BSR14 - NPN通用放大器
• ISL9R3060P2 - 30 A、600 V STEALTH 二极管
• NC7SZ14 - 带施密特触发器输入的TinyLogic UHS反相器