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FDMA6676PZ - 单 P 沟道 PowerTrench MOSFET
FDMA6676PZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMA6676PZ是单 P 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMA6676PZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMA6676PZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMA6676PZ - 单 P 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMA6676PZ - 产品描述
此设备是超低电阻的P沟道FET。它专为电源线负载开关应用和反接保护而设计。它专为爬高至25V的电压轨优化。典型的终端系统包括笔记本电脑、平板电脑和手机。应用包括电池保护、输入电力线路保护和充电路径保护，其中包括USB和其他充电路径。FDMA6676PZ具有25V的增强VGS额定值，专门用于简化安装。当用作反极性保护，并将栅极接地且漏极连接到V输入时，它专门用来支持操作输入电压，可高达25V，而无需在栅极上进行外部齐纳保护。其较小的2x2x0.8外形尺寸使其成为移动和空间受限应用的理想选择。
FDMA6676PZ - 产品特性
- 最大值 rDS(on) = 13.5 mΩ @ VGS = -10 V
- 25V VGS 扩展运行额定值
- 30V VDS 阻塞
- 2x2mm 外形尺寸
- 薄型 - 0.8 mm 最大值
- 集成保护二极管
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
FDMA6676PZ - 产品应用
以下列出了FDMA6676PZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMA6676PZ | 量产-ROHS：截至2014年7月 | $0.2134 |
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