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FDMA908PZ技术文档下载：
FDMA908PZ - -12V单P沟道PowerTrench MOSFET
FDMA908PZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMA908PZ是-12V单P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMA908PZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMA908PZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMA908PZ - -12V单P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMA908PZ - 产品描述
该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。包含一个具有低通态电阻的MOSFET和齐纳二极管防静电放电保护。MicroFET2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。
FDMA908PZ - 产品特性
- 最大值 rDS(on) = 12.5 mΩ（需 VGS = -4.5 V 且 ID = -12 A ）
- 最大值 rDS(on) = 18 mΩ（需 VGS = -2.5 V 且ID = -10 A ）
- 最大值 rDS(on) = 28 mΩ（需 VGS = -1.8 V 且ID = -8 A ）
- 薄型 – 最大 0.8mm，采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
- HBM 静电放电保护等级 > 2.8 kV 典型值 （注 3）
- 无卤素化合物和锑氧化物
- 符合 RoHS 标准
FDMA908PZ - 产品应用
以下列出了FDMA908PZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMA908PZ | 量产-ROHS：截至2012年12月 | $0.3045 |
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