该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。包含一个具有低通态电阻的MOSFET和齐纳二极管防静电放电保护。MicroFET2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。

• 最大值 rDS(on) = 12.5 mΩ（需 VGS = -4.5 V 且 ID = -12 A
）
• 最大值 rDS(on) = 18 mΩ（需 VGS = -2.5 V 且ID = -10 A
）
• 最大值 rDS(on) = 28 mΩ（需 VGS = -1.8 V 且ID = -8 A
）
• 薄型 最大 0.8mm，采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
• HBM 静电放电保护等级 > 2.8 kV 典型值 （注 3）
• 无卤素化合物和锑氧化物
• 符合 RoHS 标准

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMA908PZ	量产-ROHS：截至2012年12月	$0.3045

• 74LVTH2244 - 低压八路缓冲器/线路驱动器（带3态输出）
• NC7NZ17 - 带施密特触发器输入的TinyLogic UHS三通道缓冲器
• MMBFJ111 - N沟道开关
• FDMS86252 - 150V N沟道PowerTrench MOSFET
• FCH35N60 - N 沟道 SuperFET MOSFET 600V, 35A, 98mΩ
• FAN6757 - 用于 65 KHz 反激式转换器，X-电容放电的 mWSaver PWM 控制器
• FFA40UP35S - 40 A、350 V 超快速二极管
• FR014H5JZ - 高端反向偏置/具有集成的过压瞬态抑制功能的反向极性保护器
• RHRG5060_F085 - 600 V、50 A、1.67 V、TO-247（2 引脚）超高速整流器
• FAN5358 - 2MHz、500mA同步降压稳压器