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Fairchild产品 - FDMB2307NZ介绍

FDMB2307NZ - 20V双N沟道PowerTrenchMOSFET

FDMB2307NZ是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMB2307NZ是20V双N沟道PowerTrenchMOSFET，本站介绍了FDMB2307NZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMB2307NZ相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMB2307NZ - 20V双N沟道PowerTrenchMOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMB2307NZ - 产品描述

此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。它包含两个共用漏极N沟道MOSFET，双向电流，采用飞兆先进的PowerTrench工艺制造，具有最先进的MicroFET引脚架构，FDMB2307NZ将PCB空间和rS1S2(on)都最小化了。.

FDMB2307NZ - 产品特性
  • 在VGS = 4.5V且ID = 8 A时，最大值rS1S2(on) = 16.5 mΩ
  • 在VGS = 4.2 V且ID = 7.4 A时，最大值rS1S2(on) = 18 mΩ
  • 在VGS = 3.1 V且ID = 7 A时，最大值rS1S2(on) = 21 mΩ
  • 在VGS = 2.5 V且ID = 6.7 A时，最大值rS1S2(on) = 24 mΩ
  • 薄型 最大0.8mm 采用新的MicroFET 2x3 mm封装
  • HBM静电放电保护等级为>2kV（注3）
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMB2307NZ - 产品应用

    • 手机

    以下列出了FDMB2307NZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMB2307NZ量产-ROHS：截至2011年1月$0.46
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