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Fairchild产品 - FDMB2308PZ介绍

FDMB2308PZ - -20V 双共用漏级 P 沟道 PowerTrench MOSFET

FDMB2308PZ是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMB2308PZ是-20V 双共用漏级 P 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMB2308PZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMB2308PZ相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMB2308PZ - -20V 双共用漏级 P 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMB2308PZ - 产品描述

此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。它包含两个共用漏极P沟道MOSFET，双向电流，采用飞兆先进的PowerTrench工艺制造，具有最先进的MicroFET引脚架构，FDMB2308PZ将PCB空间和rS1S2(on)都最小化了。

FDMB2308PZ - 产品特性
  • 最大值 rS1S2(on) = 36 mΩ（VGS = -4.5 V且ID = -5.7 A时）
  • 最大值 rS1S2(on) = 50 mΩ（VGS = -2.5 V且ID = -4.6 A时）
  • 薄型 最大0.8mm 采用新的MicroFET 2x3 mm封装
  • HBM静电放电保护等级为2.8kV（注3）
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMB2308PZ - 产品应用

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    以下列出了FDMB2308PZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMB2308PZ量产-ROHS：截至2011年4月$0.725
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