这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。

这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

• rDS(on)最大值 = 40 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 4.8 A
• rDS(on)最大值 = 51 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 4.3 A
• 快速开关速度
• 低栅极电荷
• 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
• 高功率和高电流处理能力。
• 符合 RoHS 标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMB3800N	量产-ROHS：截至2006年12月	$0.348

• FSB649 - NPN低饱和晶体管
• FDD9411_F085 - 40 V、25 A、6.2 mΩ、DPAKN 沟道 PowerTrench
• 74AC540 - 八路缓冲器/线路驱动器（带3态输出）
• FAN7930C - CrCM PFC 控制器，PFC-就绪信号
• FJV4104R - 带偏置电阻的 PNP 外延硅晶体管
• MMBFJ110 - N沟道开关
• FDMC2610 - 200V N 沟道 UltraFET 沟道 MOSFET
• FDG6301N_F085 - 25 V、0.22 A、2.6 Ω、SC-70-6、逻辑电平双 N 沟道平面型
• FQU2N100 - N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、1.6 A、9 Ω
• FSFR1700 - 用于 200 W 半桥式谐振转换器的集成电源开关 (FPS)