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FDMB3800N - 30V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET
FDMB3800N是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMB3800N是30V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMB3800N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMB3800N相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMB3800N - 30V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMB3800N - 产品描述
这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。
这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
FDMB3800N - 产品特性
- rDS(on)最大值 = 40 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 4.8 A
- rDS(on)最大值 = 51 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 4.3 A
- 快速开关速度
- 低栅极电荷
- 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
- 高功率和高电流处理能力。
- 符合 RoHS 标准
FDMB3800N - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDMB3800N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMB3800N | 量产-ROHS：截至2006年12月 | $0.348 |
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