这一N沟道MOSFET器件采用飞兆的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

• 最大 rDS(on) = 1.23 mΩ（VGS = 10 V、ID = 35 A
）
• 最大 rDS(on) = 1.46 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 32 A
）
• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
• 终端为无铅产品
• 符合RoHS标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMC012N03	量产-ROHS：截至2015年3月	$1.0655

• FQP50N06L - N 沟道 QFET MOSFET 60V，52.4A，21mΩ
• HUFA76429D3 - 60 V、20 A、27 mΩ、N 沟道逻辑电平 UltraFET 功率 MOSFET
• FAN2306M - 6 A、18 V 高效 PoL 调节器
• FSL176MRT - 具有异常 OCP 功能的 650 V 集成电源开关，用于 70 W 离线反激式转换器
• FDMS86368_F085 - 80 V、80 A、3.7 mΩ、Power56N 沟道 PowerTrench
• FQP6N70 - 700V N-Channel QFET
• FDMF6707B - 超小型、高性能、高频DrMOS模块
• FGP5N60LS - 600V，5A，场截止IGBT
• FCD3400N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET
• NC7SV05 - TinyLogic ULP-A反相器（漏极开路输出）