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FDMC012N03 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 30 V、1.23 mΩ
FDMC012N03是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC012N03是N 沟道 PowerTrench MOSFET 30 V、1.23 mΩ，本站介绍了FDMC012N03的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC012N03相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMC012N03 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 30 V、1.23 mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMC012N03 - 产品描述
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。
FDMC012N03 - 产品特性
- 最大 rDS(on) = 1.23 mΩ（VGS = 10 V、ID = 35 A ）
- 最大 rDS(on) = 1.46 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 32 A ）
- 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
- 终端为无铅产品
- 符合RoHS标准
FDMC012N03 - 产品应用
以下列出了FDMC012N03相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMC012N03 | 量产-ROHS：截至2015年3月 | $1.0655 |
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