FDMC0310AS设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。先进的硅技术和封装技术完美融合，在保持出色开关性能的同时，还能提供最低的rDS(on)。该器件具有一个高效单片肖特基体二极管所具备的额外优势。

• 最大值 RDS(on)=4.4 mΩ（需 VGS=10 V、ID=19 A
）
• 最大值 RDS(on)=5.2 mΩ（需 VGS=4.5 V、ID =17.5 A
）
• 低 rDS(on) 和高效的高级硅封装
• SyncFET 肖特基体二极管
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

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• 笔记本电脑

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMC0310AS	量产-ROHS：截至2010年11月	$0.181

• HGTG18N120BND - 1200V, NPT IGBT
• BD244C - PNP外延硅晶体管
• FCP16N60N - N 沟道 SupreMOSMOSFET 600V, 16A, 199mΩ
• FQD6N40C - 400V N沟道QFET C系列
• FSB70250 - Motion SPM7 系列
• RS1AFA - 0.8 A、50 V 表面贴装快速恢复
• FNA23060 - 600 V Motion SPM 2 系列
• KSA1142 - PNP外延硅晶体管
• FSBB15CH60 - Motion SPM 3 系列
• MM74HCT541 - 八通道3态缓冲器