此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(ON)、开关性能和稳固性进行了优化。

• 最大值 rDS(on) = 8.4 mΩ（VGS = -4.5 V、ID = -14 A
）
• 最大 rDS(on) = 13 mΩ（VGS = -2.5 V、ID = -11 A
）
• 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
• 终端无引线且符合 RoHS 标准
• HBM ESD 能力电平> 3.6 KV 典型值（注 4）

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMC612PZ	量产-ROHS：截至2013年3月	$0.579

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