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FDMC612PZ技术文档下载：
FDMC612PZ - -20V P沟道PowerTrench MOSFET
FDMC612PZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC612PZ是-20V P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMC612PZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC612PZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMC612PZ - -20V P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMC612PZ - 产品描述
此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(ON)、开关性能和稳固性进行了优化。
FDMC612PZ - 产品特性
- 最大值 rDS(on) = 8.4 mΩ（VGS = -4.5 V、ID = -14 A ）
- 最大 rDS(on) = 13 mΩ（VGS = -2.5 V、ID = -11 A ）
- 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
- 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
- 终端无引线且符合 RoHS 标准
- HBM ESD 能力电平> 3.6 KV 典型值（注 4）
FDMC612PZ - 产品应用
以下列出了FDMC612PZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMC612PZ | 量产-ROHS：截至2013年3月 | $0.579 |
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