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    Fairchild产品 - FDMC8010ET30介绍
    FDMC8010ET30 - N 沟道 PowerTrench MOSFET

    FDMC8010ET30是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC8010ET30是N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMC8010ET30的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC8010ET30相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMC8010ET30 - N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMC8010ET30 - 产品描述

    此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。此器件非常适合需要在小空间内实现低rDS(on)的应用，例如高性能VRM、POL和Oring功能。

    FDMC8010ET30 - 产品特性
    • TJ额定值扩展：175°C
    • 最大值 rDS(on) = 1.3 mΩ（VGS = 10 V，ID = 30 A
      • ）
    • 最大值 rDS(on) = 1.8 mΩ（VGS = 4.5 V，ID = 25 A
      • ）
    • 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
    • 终端无引线且符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMC8010ET30 - 产品应用
    以下列出了FDMC8010ET30相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC8010ET30量产-ROHS：截至2014年11月$0.7975
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