此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。此器件非常适合需要在小空间内实现低rDS(on)的应用，例如高性能VRM、POL和Oring功能。

• TJ额定值扩展：175°C
• 最大值 rDS(on) = 1.3 mΩ（VGS = 10 V，ID = 30 A
）
• 最大值 rDS(on) = 1.8 mΩ（VGS = 4.5 V，ID = 25 A
）
• 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
• 终端无引线且符合 RoHS 标准

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMC8010ET30	量产-ROHS：截至2014年11月	$0.7975

• FDMF5826DC - 集成有温度监控器的智能功率级 (SPS) 模块
• FSBB30CH60DF - Motion SPM 3 Series
• FPF2124 - 带可调节限流的全功能负载开关
• GBU4K - 4 A 桥式整流器
• FQP11N40C - N 沟道 QFET MOSFET 400V，10.5A，530mΩ
• SMBJ10A - 600W瞬态电压抑制二极管
• BD244C - PNP外延硅晶体管
• SG5841J - 用于反激式转换器的绿色模式 PWM 控制器，可编程频率为 47 KHz ~ 109 KHz
• FSA1258 - Low R Low Voltage Dual-SPST Analog Switch with Low I A Option
• FDMA86151L - 100 V 单 N 沟道 PowerTrench MOSFET