此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。此器件非常适合需要在小空间内实现低rDS(on)的应用，例如高性能VRM、POL和Oring功能。

• TJ额定值扩展：175°C
• 最大值 rDS(on) = 1.3 mΩ（VGS = 10 V，ID = 30 A
）
• 最大值 rDS(on) = 1.8 mΩ（VGS = 4.5 V，ID = 25 A
）
• 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
• 终端无引线且符合 RoHS 标准

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMC8010ET30	量产-ROHS：截至2014年11月	$0.7975

• FCH47N60NF - N 沟道 SupreMOS FRFET MOSFET 600V, 45.8A, 65mΩ
• HGTD1N120BNS - 1200V, NPT IGBT
• FR015L3EZ - 低端反向偏置/反向极性保护器
• MBR4045PT - 40A肖特基势垒整流器
• 74LCX652 - 带5V容差输入和输出的低电压收发器/寄存器
• 1N5401 - 3.0A通用整流器
• SMCJ85A - 1500W瞬态电压抑制二极管
• FSQ110 - 用于 8 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
• FDMC86340ET80 - 80 V N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET
• FIN1027A - 3.3V LVDS 2位高速差分驱动器（替代 引脚分配）