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Fairchild产品 - FDMC8554介绍

FDMC8554 - 20V N 沟道 Power Trench MOSFET

FDMC8554是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMC8554是20V N 沟道 Power Trench MOSFET，本站介绍了FDMC8554的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC8554相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMC8554 - 20V N 沟道 Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMC8554 - 产品描述

此N沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。已针对开关性能和超低rDS(on)进行了优化。

FDMC8554 - 产品特性
  • 最大值 rDS(on)=5 mΩ（条件为 VGS=10 V、ID=16.5 A）
  • 最大值 rDS(on)=6.4 mΩ（条件为 VGS=4.5 V、ID=14A
  • 薄型 - 最大 1 mm，采用 Power 33 封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMC8554 - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDMC8554相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    PCF8554W量产（特殊订单）-ROHS不适用
    FDMC8554量产-ROHS：截至2008年11月$0.75
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