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FDMC86102L - 100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench MOSFET
FDMC86102L是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC86102L是100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMC86102L的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC86102L相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMC86102L - 100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMC86102L - 产品描述
N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
FDMC86102L - 产品特性
- 屏蔽栅极 MOSFET 技术
- 最大 rDS(on) = 23 mΩ（VGS=10 V、ID=7 A 时）
- 最大 rDS(on) = 34 mΩ（VGS=4.5 V、ID=5.5 A 时）
- 薄型 - 最大 1 mm，采用 Power 33封装
- 符合 RoHS 标准
FDMC86102L - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDMC86102L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMC86102L | 量产-ROHS：截至2010年9月 | $0.65 |
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