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Fairchild产品 - FDMC86102L介绍

FDMC86102L - 100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench MOSFET

FDMC86102L是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMC86102L是100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMC86102L的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC86102L相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMC86102L - 100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMC86102L - 产品描述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

FDMC86102L - 产品特性
  • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  • 最大 rDS(on) = 23 mΩ（VGS=10 V、ID=7 A 时）
  • 最大 rDS(on) = 34 mΩ（VGS=4.5 V、ID=5.5 A 时）
  • 薄型 - 最大 1 mm，采用 Power 33封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMC86102L - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDMC86102L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC86102L量产-ROHS：截至2010年9月$0.65
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