• 扩展额定 TJ 至 175°C
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 14 mΩ（VGS = 10 V, ID = 9 A
时）
• 最大值 rDS(on) = 23 mΩ（VGS = 6 V, ID = 7 A
时）
• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
• 终端无引线且符合 RoHS 标准"

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• DC-DC商用电源

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMC86160ET100	量产-ROHS：截至2014年11月	$0.855

• 1N5227B - 3.6V、0.5W齐纳二极管
• FAN4174 - Single and Dual, Rail-to-Rail I/O, CMOS Amplifier
• 74VHCT240A - 八路缓冲器/线路驱动器（带3态输出）
• J106 - N沟道开关
• 74VHC374 - 低压八路D型触发器（带3态输出）
• MMSZ5255B - 28V、0.5W齐纳二极管
• MM3Z56VC - 56.0V 200mW 5%齐纳管，SOD323F
• FCD4N60 - N 沟道 SuperFET MOSFET 600V, 3.9A, 1.2Ω
• SMBJ160CA - 600W瞬态电压抑制二极管
• KA33V - 稳压器