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    Fairchild产品 - FDMC86160ET100介绍
    FDMC86160ET100 - 100V N沟道Power Trench MOSFET

    FDMC86160ET100是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC86160ET100是100V N沟道Power Trench MOSFET，本站介绍了FDMC86160ET100的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC86160ET100相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMC86160ET100 - 100V N沟道Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMC86160ET100 - 产品描述
    FDMC86160ET100 - 产品特性
    • 扩展额定 TJ 至 175°C
    • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
    • 最大值 rDS(on) = 14 mΩ（VGS = 10 V, ID = 9 A
      • 时）
    • 最大值 rDS(on) = 23 mΩ（VGS = 6 V, ID = 7 A
      • 时）
    • 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
    • 终端无引线且符合 RoHS 标准"
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMC86160ET100 - 产品应用

    • DC-DC商用电源

    以下列出了FDMC86160ET100相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC86160ET100量产-ROHS：截至2014年11月$0.855
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