N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 14 A
）
• 最大值 rDS(on) = 8.5 mΩ（VGS = 8 V, ID = 12 A
时）
• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
• 终端为无铅产品
• 符合 RoHS 标准"

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• DC-DC商用电源

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMC86340ET80	量产-ROHS：截至2014年11月	$0.841

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