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FDMC86340ET80 - 80 V N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET
FDMC86340ET80是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC86340ET80是80 V N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMC86340ET80的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC86340ET80相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMC86340ET80 - 80 V N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMC86340ET80 - 产品描述
N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
FDMC86340ET80 - 产品特性
- 屏蔽栅极 MOSFET 技术
- 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 14 A ）
- 最大值 rDS(on) = 8.5 mΩ（VGS = 8 V, ID = 12 A 时）
- 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
- 终端为无铅产品
- 符合 RoHS 标准"
FDMC86340ET80 - 产品应用
- DC-DC商用电源
以下列出了FDMC86340ET80相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMC86340ET80 | 量产-ROHS：截至2014年11月 | $0.841 |
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