该器件包括两个100VN沟道MOSFET，采用双Power(3.3mmx5mm)封装。HS源极和LS漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低rDS(on)/QgFOM硅片。

• 最大 rDS(on)= 19 mΩ（VGS= 10 V、ID=7 A
）
• 最大 rDS(on)= 33 mΩ（VGS= 6 V、ID= 5.5 A
）
• 是实现桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择
• 终端无引线且符合 RoHS 标准
• 100% 经过 UIL 测试
• 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMD82100	量产-ROHS：截至2013年6月	$1.38

• FTL7522 - 带固定延迟和复位脉冲的低 I 复位定时器
• LM319 - Dual Comparator
• MM3Z3V3C - 3.3V 200mW 5%齐纳管，SOD323F
• FSCQ0965RT - 用于 110 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
• NZT660A - PNP低饱和晶体管
• FDD3670 - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。
• FFB5551 - NPN多芯片通用放大器
• FAN4931 - Ultra-Low Cost, Rail to Rail I/O, CMOS Amplifier
• 2N4401 - NPN通用放大器
• BZX84C9V1 - 9.1V、0.35W齐纳二极管