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Fairchild产品 - FDMD82100介绍

FDMD82100 - 100 V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET

FDMD82100是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMD82100是100 V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMD82100的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMD82100相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMD82100 - 100 V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMD82100 - 产品描述

该器件包括两个100VN沟道MOSFET，采用双Power(3.3mmx5mm)封装。HS源极和LS漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低rDS(on)/QgFOM硅片。

FDMD82100 - 产品特性
  • 最大 rDS(on)= 19 mΩ（VGS= 10 V、ID=7 A
    • ）
  • 最大 rDS(on)= 33 mΩ（VGS= 6 V、ID= 5.5 A
    • ）
  • 是实现桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择
  • 终端无引线且符合 RoHS 标准
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMD82100 - 产品应用
    以下列出了FDMD82100相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMD82100量产-ROHS：截至2013年6月$1.38
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