该器件包括两个100VN沟道MOSFET，采用双Power(3.3mmx5mm)封装。HS源极和LS漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低rDS(on)/QgFOM硅片。

• 最大 rDS(on)=19.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 7 A
时）
• 最大 rDS(on)=30 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 5.7 A
时）
• 是实现桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择
• 终端无引线且符合 RoHS 标准
• 100% 经过 UIL 测试
• 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMD82100L	量产-ROHS：截至2014年3月	$1.378

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