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    Fairchild产品 - FDMD8260L介绍
    FDMD8260L - 60 V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET

    FDMD8260L是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMD8260L是60 V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMD8260L的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMD8260L相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMD8260L - 60 V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMD8260L - 产品描述

    该器件包括两个60VN沟道MOSFET，采用双Power(3.3mmx5mm)封装。HS源极和LS漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低rDS(on)/QgFOM硅片。

    FDMD8260L - 产品特性
    • 最大 rDS(on) = 5.8 mΩ（VGS = 10 V、ID = 15 A
      • ）
    • 最大 rDS(on) = 8.7 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 12 A
      • ）
    • 是实现桥式拓扑初级侧灵活布局的理想选择
    • 100% 经过 UIL 测试
    • 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
    • 终端无引线且符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMD8260L - 产品应用
    以下列出了FDMD8260L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMD8260L量产-ROHS：截至2015年2月不适用
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