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FDMD8260L - 60 V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET
FDMD8260L是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品,FDMD8260L是60 V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDMD8260L的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDMD8260L相关的Fairchild元器件型号供参考。
FDMD8260L - 60 V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体
FDMD8260L - 产品描述
该器件包括两个60VN沟道MOSFET,采用双Power(3.3mmx5mm)封装。HS源极和LS漏极内部连接实现半桥/全桥,低源极电感封装、低rDS(on)/QgFOM硅片。
FDMD8260L - 产品特性
- 最大 rDS(on) = 5.8 mΩ(VGS = 10 V、ID = 15 A )
- 最大 rDS(on) = 8.7 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 12 A )
- 是实现桥式拓扑初级侧灵活布局的理想选择
- 100% 经过 UIL 测试
- 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
- 终端无引线且符合 RoHS 标准
FDMD8260L - 产品应用
以下列出了FDMD8260L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMD8260L | 量产-ROHS:截至2015年2月 | 不适用 |
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