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FDMD8260LET60 - 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET
FDMD8260LET60是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMD8260LET60是双 N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMD8260LET60的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMD8260LET60相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMD8260LET60 - 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMD8260LET60 - 产品描述
该器件包括两个60VN沟道MOSFET，采用双Power(3.3mmx5mm)封装。HS源极和LS漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低rDS(on)/QgFOM硅片。
FDMD8260LET60 - 产品特性
- TJ 额定值扩展至 175°C
- 最大 rDS(on) = 4.9 mΩ（VGS = 10 V、ID = 15 A ）
- 最大 rDS(on) = 7.7 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 12 A ）
- 是实现桥式拓扑初级侧灵活布局的理想选择
- 100% 经过 UIL 测试
- 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
- 终端无引线且符合 RoHS 标准
FDMD8260LET60 - 产品应用
以下列出了FDMD8260LET60相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMD8260LET60 | 量产-ROHS：截至2015年5月 | $1.688 |
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