该器件包括两个60VN沟道MOSFET，采用双Power(3.3mmx5mm)封装。HS源极和LS漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低rDS(on)/QgFOM硅片。

• TJ 额定值扩展至 175°C
• 最大 rDS(on) = 4.9 mΩ（VGS = 10 V、ID = 15 A
）
• 最大 rDS(on) = 7.7 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 12 A
）
• 是实现桥式拓扑初级侧灵活布局的理想选择
• 100% 经过 UIL 测试
• 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
• 终端无引线且符合 RoHS 标准

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMD8260LET60	量产-ROHS：截至2015年5月	$1.688

• HCPL2731 - 8引脚DIP双通道低输入电流高增益分离式达林顿输出光电耦合器
• 74AC00 - 四路2输入NAND门
• MMBZ5250B - 20V 350mW 5%齐纳
• FSBB20CH60D - Motion SPM 3 系列
• FAN3225T - TTL 输入，双通道反相或同相输出，5 A 峰值灌电流，5 A 源电流低端栅极驱动器
• FCH099N60E - N 沟道 SuperFET II Easy-Drive MOSFET
• 1N457 - 高电导、低泄漏二极管
• FOD4118 - 6引脚DIP 800V过零触发三端双向可控硅开关驱动器输出光电耦合器
• FDD86540 - N沟道PowerTrench MOSFET(60V，50 A，4.1 mΩ)
• FDB2532_F085 - 150 V、79 A、14 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench