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Fairchild产品 - FDMD8260LET60介绍

FDMD8260LET60 - 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET

FDMD8260LET60是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMD8260LET60是双 N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMD8260LET60的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMD8260LET60相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMD8260LET60 - 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMD8260LET60 - 产品描述

该器件包括两个60VN沟道MOSFET，采用双Power(3.3mmx5mm)封装。HS源极和LS漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低rDS(on)/QgFOM硅片。

FDMD8260LET60 - 产品特性
  • TJ 额定值扩展至 175°C
  • 最大 rDS(on) = 4.9 mΩ（VGS = 10 V、ID = 15 A
    • ）
  • 最大 rDS(on) = 7.7 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 12 A
    • ）
  • 是实现桥式拓扑初级侧灵活布局的理想选择
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
  • 终端无引线且符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMD8260LET60 - 产品应用
    以下列出了FDMD8260LET60相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMD8260LET60量产-ROHS：截至2015年5月$1.688
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