该器件包括两个100VN沟道MOSFET，采用双Power(5mmx6mm)封装。HS源极和LS漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低rDS(on)/QgFOM硅片。

Q1： N-沟道
• 最大值 rDS(on) = 9.9 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10.4 A
）
• 最大值 rDS(on) = 16.4 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A
）Q2： N-沟道
• 最大值 rDS(on) = 9.9 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10.4 A
）
• 最大值 rDS(on) = 16.4 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A
）
• 是实现桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择
• 终端无引线且符合 RoHS 标准
• 100% 经过 UIL 测试
• 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMD85100	量产-ROHS：截至2014年9月	$1.4919

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